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產(chǎn)品中心
Product Center

微波等離子體芯片開封設(shè)備

芯片解封也稱開封、開蓋和開帽,開封過程中主要是去除互連結(jié)構(gòu)中的下填料(主要成份為環(huán)氧樹脂),使引線鍵合或芯片本身完整裸露出來。

熱絲HFCVD金剛石沉積裝置

微熱絲化學(xué)氣相沉積(HOT FILAMENT CHEMICAL,VAPOR DEPOSITION,HFCVD)技術(shù)是金剛石薄膜沉積的常用技術(shù)之一,具有設(shè)備簡單、操作便利、成本較低、適用于大面積、復(fù)雜形狀刀具金剛石涂層沉積等優(yōu)點(diǎn)。

正壓漏孔校準(zhǔn)裝置

標(biāo)準(zhǔn)漏孔有兩種形式:一種,漏孔一端真空另一端為一個(gè)大氣壓的示漏氣體,稱做真空標(biāo)準(zhǔn)漏孔;另一種,漏孔一端 氣另一端加高于一個(gè)大氣壓的示漏氣體,常稱做正壓標(biāo)準(zhǔn)漏孔。

膨脹法真空裝置

本真空標(biāo)準(zhǔn)裝置主要用于( 1.3×105 ~ 1.3×10-1 ) Pa范圍內(nèi)電容薄膜真空計(jì),熱偶真空計(jì)等的檢定/校準(zhǔn)工作,主要具有以下特點(diǎn): 1.1兼顧比較法和膨脹法兩種裝置,便于客戶靈活靈活掌握和保證設(shè)備可以長期使用; 1.2膨脹法裝置部分選取所有儀器和設(shè)備均可以提供長期質(zhì)保。比較法用標(biāo)準(zhǔn)器電容薄膜規(guī)有原廠提供質(zhì)保。 1.3采用專用軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)采集及處理,工作效率高; 1.4系統(tǒng)軟件終身免費(fèi)升級,裝置總體水平達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平。

氦漏孔校準(zhǔn)裝置

本資料針對DBLS10-5氦氣漏孔校準(zhǔn)裝置的組成、操作以及維護(hù)。本裝置適用于計(jì)量測試單位開展標(biāo)準(zhǔn)漏孔校準(zhǔn),量值溯源。本系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單,易于操作、維護(hù),效率高。

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